型号/品牌/封装
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价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS STW75NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 200 V, 28 mohm, 10 V, 3 V59905-49￥29.577650-199￥28.3136200-499￥27.6058500-999￥27.42881000-2499￥27.25182500-4999￥27.04965000-7499￥26.9232≥7500￥26.7968 -
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品类: MOS管描述: N沟道600V - 0.125ohm - 26A TO- 247齐纳保护MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.125ohm - 26A TO-247 Zener-Protected MDmesh⑩Power MOSFET377910-99￥6.8520100-499￥6.5094500-999￥6.28101000-1999￥6.26962000-4999￥6.22395000-7499￥6.16687500-9999￥6.1211≥10000￥6.0983 -
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品类: MOS管描述: N - 沟道增强型MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET784810-99￥8.2200100-499￥7.8090500-999￥7.53501000-1999￥7.52132000-4999￥7.46655000-7499￥7.39807500-9999￥7.3432≥10000￥7.3158 -
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品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS SCT30N120 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 20 V, 2.6 V16991-9￥171.430510-49￥166.958450-99￥163.5298100-199￥162.3372200-499￥161.4428500-999￥160.25031000-1999￥159.5049≥2000￥158.7596 -
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品类: MOS管描述: SCT20N120 系列 1200 V 290 mOhm 20 A 碳化硅 功率 Mosfet - HiP247™42481-9￥128.650510-49￥125.294450-99￥122.7214100-199￥121.8264200-499￥121.1552500-999￥120.26031000-1999￥119.7009≥2000￥119.1416 -
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品类: MOS管描述: Mosfet n-Ch Isoplus24721361-9￥214.555510-49￥208.958450-99￥204.6673100-199￥203.1747200-499￥202.0553500-999￥200.56281000-1999￥199.6299≥2000￥198.6971 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3Pin(3+Tab) PLUS 247 Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3Pin(3+Tab) PLUS 24748661-9￥117.495510-49￥114.430450-99￥112.0805100-199￥111.2631200-499￥110.6501500-999￥109.83281000-1999￥109.3219≥2000￥108.8111 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 190000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD24621-9￥71.449510-99￥68.3430100-249￥67.7838250-499￥67.3489500-999￥66.66551000-2499￥66.35482500-4999￥65.9199≥5000￥65.5472 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 300000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD91071-9￥53.472610-99￥50.4045100-249￥48.1253250-499￥47.7747500-999￥47.42411000-2499￥47.02962500-4999￥46.6790≥5000￥46.4598 -
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品类: MOS管描述: IXKR 系列 单 N 沟道 600 V 45 mOhm 功率 MOSFET - ISOPLUS24779411-9￥54.302210-99￥51.1865100-249￥48.8720250-499￥48.5159500-999￥48.15981000-2499￥47.75922500-4999￥47.4032≥5000￥47.1806 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(3+Tab) PLUS 24716621-9￥106.743010-99￥102.1020100-249￥101.2666250-499￥100.6169500-999￥99.59591000-2499￥99.13182500-4999￥98.4820≥5000￥97.9251 -
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品类: MOS管描述: TO-247 N-CH 100V 230A24141-9￥48.958610-99￥46.1495100-249￥44.0627250-499￥43.7417500-999￥43.42071000-2499￥43.05952500-4999￥42.7385≥5000￥42.5378 -
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品类: MOS管描述: TO-247AD N-CH 900V 13A16991-9￥89.550510-99￥85.6570100-249￥84.9562250-499￥84.4111500-999￥83.55451000-2499￥83.16522500-4999￥82.6201≥5000￥82.1529 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS HiPerFET™ X2 系列 与功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 经典 HiPerFET 功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷，从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含增强型高速本征二极管，且适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达 120A（650V 时）额定值。 典型应用包括：直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。 极低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 快速本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备30801-9￥69.770510-99￥66.7370100-249￥66.1910250-499￥65.7663500-999￥65.09891000-2499￥64.79562500-4999￥64.3709≥5000￥64.0069 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRFP150MPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.036 ohm, 10 V, 4 V 新42025-24￥3.037525-49￥2.812550-99￥2.6550100-499￥2.5875500-2499￥2.54252500-4999￥2.48635000-9999￥2.4638≥10000￥2.4300 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。67781-9￥43.920010-99￥41.4000100-249￥39.5280250-499￥39.2400500-999￥38.95201000-2499￥38.62802500-4999￥38.3400≥5000￥38.1600 -
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品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 引脚61925-49￥32.490950-199￥31.1024200-499￥30.3248500-999￥30.13051000-2499￥29.93612500-4999￥29.71395000-7499￥29.5751≥7500￥29.4362 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IKW30N60TFKSA1 单晶体管, IGBT, 通用, 60 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 引脚58115-49￥25.272050-199￥24.1920200-499￥23.5872500-999￥23.43601000-2499￥23.28482500-4999￥23.11205000-7499￥23.0040≥7500￥22.8960 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Infineon **Infineon** 分散 IGBT 系列提供不同的技术，如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。 它们可用于很多可能需要硬切换和软切换的应用。 这包括工业驱动器、UPS、逆变器、家用电器和感应烹饪。 有些设备可能具有防并联二极管或整体集成二极管。 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。18291-9￥47.140810-99￥44.4360100-249￥42.4267250-499￥42.1176500-999￥41.80851000-2499￥41.46072500-4999￥41.1516≥5000￥40.9584 -
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品类: 双极性晶体管描述: NPN 复合晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。53535-49￥18.275450-199￥17.4944200-499￥17.0570500-999￥16.94771000-2499￥16.83842500-4999￥16.71345000-7499￥16.6353≥7500￥16.5572 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 24791011-9￥104.339510-99￥99.8030100-249￥98.9864250-499￥98.3513500-999￥97.35331000-2499￥96.89962500-4999￥96.2645≥5000￥95.7202 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin(3+Tab) TO-247AD218620-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: MOS管描述: N沟道 500 V 830 W 150 nC PolarHV HiPerFET Mosfet - PLUS-24766231-9￥106.501510-99￥101.8710100-249￥101.0375250-499￥100.3892500-999￥99.37051000-2499￥98.90752500-4999￥98.2592≥5000￥97.7036 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列 HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。 快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备55741-9￥166.922510-49￥162.568050-99￥159.2296100-199￥158.0684200-499￥157.1975500-999￥156.03631000-1999￥155.3105≥2000￥154.5848 -
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品类: MOS管描述: N-Channel 250V 180A 12.9mΩ Through Hole GigaMOS Power Mosfet - PLUS24717351-9￥105.903510-99￥101.2990100-249￥100.4702250-499￥99.8256500-999￥98.81261000-2499￥98.35212500-4999￥97.7075≥5000￥97.1550 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC541120-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: MOS管描述: N沟道,55V,64A,16mΩ@10V70535-24￥6.372025-49￥5.900050-99￥5.5696100-499￥5.4280500-2499￥5.33362500-4999￥5.21565000-9999￥5.1684≥10000￥5.0976 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 250V 23A TO-247AC358620-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: MOS管描述: 功率MOSFET Power MOSFET44445-24￥4.360525-49￥4.037550-99￥3.8114100-499￥3.7145500-2499￥3.64992500-4999￥3.56925000-9999￥3.5369≥10000￥3.4884 -
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品类: JFET晶体管描述: IGBT 1000V TO247-326561-9￥155.227010-49￥151.177650-99￥148.0731100-199￥146.9932200-499￥146.1833500-999￥145.10351000-1999￥144.4286≥2000￥143.7537
